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博士論文 / Application of Laser-Assisted Atom Probe Tomography to the Study of Dopant Distribution in Silicon Devices レーザー補助3次元アトムプローブを用いたシリコンデバイス中のドーパント分布の研究

著者

書誌事項

タイトル

Application of Laser-Assisted Atom Probe Tomography to the Study of Dopant Distribution in Silicon Devices

タイトル別名

レーザー補助3次元アトムプローブを用いたシリコンデバイス中のドーパント分布の研究

著者名

Han Bin

学位授与大学

Tohoku University (大学ID:0010)

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

甲第17551号

学位授与年月日

2017-03-24

注記・抄録

課程

各種コード

NII論文ID(NAID)

500001052183

NII著者ID(NRID)
  • 8000001170415
本文言語コード

eng

データ提供元

機関リポジトリ, NDLデジタルコレクション

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