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博士論文 / 窒化物半導体-シリコン異種ウエハ接合を用いた高密度光電子集積回路の基盤技術 Monolithic Fabrication Processing of Large-Scale Optoelectronic Integrated Circuits using Si/SiO2/Ⅲ-Nitride Wafe

著者

書誌事項

タイトル

窒化物半導体-シリコン異種ウエハ接合を用いた高密度光電子集積回路の基盤技術

タイトル別名

Monolithic Fabrication Processing of Large-Scale Optoelectronic Integrated Circuits using Si/SiO2/Ⅲ-Nitride Wafe

著者名

土山和晃

学位授与大学

豊橋技術科学大学 (大学ID:0085) (CAT機関ID:KI000527)

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

甲第766号

学位授与年月日

2017-03-23

注記・抄録

元資料の権利情報 : CC BY-NC-ND

https://www.tut.ac.jp/university/docs/abstk766.pdf

各種コード

NII論文ID(NAID)

500001033427

NII著者ID(NRID)
  • 8000001142257
本文言語コード

jpn

データ提供元

機関リポジトリ / NDLデジタルコレクション

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