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博士論文 / 多結晶金属酸化物薄膜を用いた抵抗変化メモリの動作機構に関する研究

書誌事項

タイトル

多結晶金属酸化物薄膜を用いた抵抗変化メモリの動作機構に関する研究

タイトル別名

タ ケッショウ キンゾク サンカ ブツ ハクマク オ モチイタ テイコウ ヘンカ メモリ ノ ドウサ キコウ ニ カンスル ケンキュウ

著者名

森山拓洋

学位授与大学

鳥取大学 (大学ID:0059) (CAT機関ID:KI000684)

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

甲第327号

学位授与年月日

2017-03-20

注記・抄録

元資料の権利情報 : 注があるものを除き、この著作物は日本国著作権法により保護されています。

目次

  1. 2017-09-15 再収集 / (G21_15101A00327.pdf)

各種コード プレビュー画像 / 博士論文 / 多結晶金属酸化物薄膜を用いた抵抗変化メモリの動作機構に関する研究

NII論文ID(NAID)

500001032834

NII著者ID(NRID)
  • 8000001130463
本文言語コード

ja

データ提供元

機関リポジトリ, NDLデジタルコレクション

外部リンク

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