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博士論文 / A New Resistive Switching Based on Breakdown and Anodic Re-Oxidation of Thin SiO2 at the Interface of CeOx Buffer Layer and Silicon Related Bottom Electrodes

著者

書誌事項

タイトル

A New Resistive Switching Based on Breakdown and Anodic Re-Oxidation of Thin SiO2 at the Interface of CeOx Buffer Layer and Silicon Related Bottom Electrodes

著者名

Mokhammad Sholihul Hadi

学位授与大学

東京工業大学 (大学ID:0028) (CAT機関ID:KI000287)

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

甲第10340号

学位授与年月日

2016-09-20

各種コード

NII論文ID(NAID)

500001013262

NII著者ID(NRID)
  • 8000001099664
本文言語コード

en

データ提供元

機関リポジトリ / NDLデジタルコレクション

博士論文 / 東京工業大学 / 工学

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